MT40A512M16LY-075-E EMMC Chip Memori DRAM DDR4 8G 512MX16

Deskripsi Produk

MT40A512M16LY-075-E Asli DRAM DDR4 8G 512MX16 FBGA Memori Penyimpanan Data

Fitur

• VDD = VDDQ = 1.2V ±60mV

• VPP = 2.5V, –125mV, +250mV

• Generasi VREFDQ on-die, internal, dan dapat disesuaikan

• I/O saluran terbuka semu 1.2V

• Waktu refresh 8192-siklus pada kisaran suhu TC: – 64 md pada -40 °C hingga 85 °C – 32 md pada >85 °C hingga 95 °C – 16 md pada >95 °C hingga 105 °C

• 16 bank internal (x4, x8): 4 grup yang masing-masing terdiri dari 4 bank

• 8 bank internal (x16): 2 grup yang masing-masing terdiri dari 4 bank • arsitektur prefetch 8n-bit

• Pembukaan strobo data yang dapat diprogram

• Pelatihan pembukaan strobo data

• Latensi Perintah/Alamat (CAL)

• Kemampuan BACA dan TULIS register serbaguna

• Tulis leveling

• Mode penyegaran diri

• Penyegaran otomatis berdaya rendah (LPASR)

• Penyegaran yang dikontrol suhu (TCR)

• Penyegaran granularitas halus

• Penyegaran diri dibatalkan

• Penghematan daya maksimum

• Kalibrasi driver keluaran

• Nominal, taman, dan penghentian on-die dinamis (ODT)

• Pembalikan bus data (DBI) untuk bus data

• Paritas Perintah/Alamat (CA)

• Databus write cyclic redundancy check (CRC)

• Kemampuan pengalamatan per-DRAM

• Uji konektivitas

• Sesuai dengan JEDEC JESD-79-4

• kemampuan sPPR dan hPPR