SRAM 2Mb EMMC Memory Chips 256Kx8 10ns Async SRAM 3.3V

Deskripsi Produk

IS61LV2568L-10T SMD / SMT SRAM 2Mb 256Kx8 10ns Async SRAM 3.3v

FITUR

• Waktu akses kecepatan tinggi: 8, 10 ns

• Arus Pengoperasian: 50mA (tip.)

• Arus Siaga: 700µA (tip.)

• Beberapa daya pusat dan pin ground untuk kekebalan kebisingan yang lebih besar

• Ekspansi memori yang mudah dengan opsi CE dan OE

• Daya mati CE

• Input dan output yang kompatibel dengan TTL

• Catu daya 3.3V tunggal

• Paket yang tersedia: – 36-pin 400-mil SOJ – 44-pin TSOP (Tipe II)

• Tersedia bebas timah

KETERANGAN

ISSI IS61LV2568L adalah RAM statis CMOS 8-bit berkecepatan sangat tinggi, daya rendah, 262.144 kata dengan 8-bit.IS61LV2568L dibuat menggunakan teknologi CMOS kinerja tinggi ISSI.

Proses yang sangat andal ini digabungkan dengan teknik desain sirkuit yang inovatif, menghasilkan kinerja yang lebih tinggi dan perangkat dengan konsumsi daya yang rendah.Ketika CE TINGGI (tidak dipilih), perangkat mengasumsikan mode siaga di mana disipasi daya dapat dikurangi hingga 36mW (maks.) dengan level input CMOS.

IS61LV2568L beroperasi dari catu daya 3.3V tunggal dan semua input kompatibel dengan TTL.IS61LV2568L tersedia dalam paket 36-pin 400-mil SOJ dan 44-pin TSOP (Tipe II).