MR0A08BCYS35 MRAM Magnetoresistive Random Access Memory Memori MRAM Penyimpanan Data

Deskripsi Produk

MR0A08BCYS35 Magnetoresistive Random Access Memory (MRAM) EHHD024A0A41Z DE118-RS-20/6.35 Memori Penyimpanan Data

MANFAAT FITUR

• Satu memori menggantikan FLASH, SRAM, EEPROM dan MRAM dalam sistem untuk desain yang lebih sederhana dan efisien

• Meningkatkan keandalan dengan mengganti SRAM yang didukung baterai

• Catu daya 3,3 Volt

• Siklus baca/tulis 35 ns cepat

• Waktu yang kompatibel dengan SRAM

• Non-volatilitas asli

• Ketahanan baca & tulis tanpa batas

• Data selalu non-volatile selama >20 tahun pada suhu

• Suhu komersial dan industri

• Semua produk memenuhi tingkat sensitivitas kelembaban MSL-3

• Paket TSOP2 dan BGA yang Sesuai RoHS

MANFAAT

• Satu memori menggantikan FLASH, SRAM, EEPROM dan MRAM dalam sistem untuk desain yang lebih sederhana dan efisien

• Meningkatkan keandalan dengan mengganti SRAM yang didukung baterai