MT61K256M32JE-14-A 8gb EMMC Flash Memory Dram Controller IC GDDR6 8G 256MX32

Deskripsi Produk

MT61K256M32JE-14: DRAM Asli GDDR6 8G 256MX32 Penyimpanan Data Memori FBGA

Fitur

• VDD = VDDQ = 1.35V ±3%, 1.25V ±3%, dan 1.20V –2%/+3%

• VPP = 1.8V –3%/+6%

• Kecepatan data: 12 Gb/dtk, 14 Gb/dtk, 16 Gb/dtk

• 2 saluran independen terpisah (x16)

• Konfigurasi mode x16/x8 dan 2 saluran/saluran semu (PC) diatur saat reset

• Antarmuka berujung tunggal per saluran untuk perintah/alamat (CA) dan data

• Input jam diferensial CK_t/CK_c untuk CA per 2 saluran

• Satu masukan jam diferensial WCK_t/WCK_c per saluran untuk data (DQ, DBI_n, EDC)

• Perintah/alamat (CK) kecepatan data ganda (DDR)

• Kecepatan data quad (QDR) dan data kecepatan data ganda (DDR) (WCK), tergantung pada frekuensi operasi

• Arsitektur prefetch 16n dengan 256 bit per larik akses baca atau tulis

• 16 bank internal

• 4 grup bank untuk tCCDL = 3tCK dan 4tCK

• Latensi BACA yang Dapat Diprogram

• Latensi MENULIS yang Dapat Diprogram

• Tulis fungsi topeng data melalui bus CA dengan perincian topeng byte tunggal dan ganda

• Inversi bus data (DBI) dan inversi bus CA (CABI)

• Masukan/keluaran PLL

• Pelatihan bus CA: pemantauan input CA melalui sinyal DQ/DBI_n/EDC

• Pelatihan jam WCK2CK dengan informasi fase melalui sinyal EDC

• Pelatihan membaca dan menulis data melalui FIFO baca (kedalaman = 6)

• Integritas transmisi data baca/tulis diamankan dengan pemeriksaan redundansi siklik

• Latensi BACA CRC yang Dapat Diprogram

• Latensi MENULIS CRC yang dapat diprogram

• Pola penahan EDC yang dapat diprogram untuk CDR

• Mode RDQS pada pin EDC